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為期3天的上海國際電力原件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia ）于2016年6月28日在上海世博展覽館盛大開幕。聚焦可再生能源技術(shù)，富士電機（中國）有限公司攜新品“四美”亮相展會，分別是富士電機X系列第7代IGBT 、使用第7代IGBT的大功率次時代核心模塊（HPnC）、面向車載應(yīng)用的高電流密度六合一IGBT模塊，以及全SiC 2in1模塊（SiC MOS-FET & SiC肖特基二極管）。此外，還展示有面向三電平逆變應(yīng)用的IGBT模塊、混合型IGBT模塊（Si-IGBT和SiC-肖特基二極管）、第2代SJ-MOSFET 600V系列、高速W系列單管IGBT 等。富士分析儀
（富士電機展位） 富士分析儀
隨著“四美”在中國市場的集中式亮相，富士電機（中國）有限公司半導體營業(yè)本部本部長塚越 敏夫和富士電機（中國）有限公司半導體營業(yè)本部營業(yè)部長徐國偉向中國工控網(wǎng)解讀了該部門在中國行走的行業(yè)戰(zhàn)略：其一，以性能更高、競爭力更強、性價比更好的產(chǎn)品提升其在傳統(tǒng)工業(yè)市場的占有率；其二，借助具有優(yōu)勢的汽車功率半導體 搶抓中國新能源汽車行業(yè)發(fā)展機遇。
富士電機（中國）有限公司半導體營業(yè)本部受訪嘉賓
右為半導體營業(yè)本部本部長塚越 敏夫，左為半導體營業(yè)本部營業(yè)部長徐國偉）
產(chǎn)品推陳出新應(yīng)對“新常態(tài)”
面對倍顯疲態(tài)的中國傳統(tǒng)工業(yè)自動化市場和中國經(jīng)濟“新常態(tài)”，每個自動化廠商都在積極應(yīng)對。近年來隨著全球能源需求增長，各個領(lǐng)域?qū)I(yè)設(shè)備都提出了更高的節(jié)能要求，工廠等生產(chǎn)現(xiàn)場則非常注重機器設(shè)備的小型化、節(jié)省空間化及高可靠性。今年，富士電機半導體營業(yè)本部特推出富士電機X系列第7代IGBT ，同時展出了使用第7代IGBT的大功率次時代核心模塊（HPnC）樣品。
（左：7G(X系列)IGBT模塊 右：HPnC）
IGBT模塊是一種能實現(xiàn)節(jié)能和穩(wěn)定供電的核心器件，被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備如電機驅(qū)動用變頻器、不間斷電源裝置（UPS）、風能和太陽能發(fā)電設(shè)備用功率調(diào)節(jié)器等。
據(jù)塚越 敏夫和徐國偉介紹，富士電機X系列第7代IGBT 通過對構(gòu)成本模塊的IGBT元件和二極管元件進行厚度減薄和微細化改進，實現(xiàn)了最佳元件結(jié)構(gòu)。因此，與第6代“V系列”相比，變頻器的工作電耗降低，有助于設(shè)備的節(jié)能和降低電力成本。此外，第7代IGBT采用更為先進的封裝技術(shù)，如75A PIM-IGBT 封裝尺寸縮減36%，更趨小型化；最高連續(xù)工作溫度從以往的150℃提高至175℃，所以能做到在維持設(shè)備原尺寸不變的同時，擴展電流等級，例如50A PIM-IGBT輸出電流實現(xiàn)50%的增幅。
在新材料方面，前不久富士電機推出裝載新一代功率半導體元件SiC（碳化硅）的混合模塊產(chǎn)品系列；本次展會富士電機又帶來了全SiC 2in1模塊（SiC MOS-FET & SiC肖特基二極管），采用高耐溫環(huán)氧樹脂、絕緣基板厚銅箔層及無邦定線技術(shù)等新概念封裝，展示出全SiC模塊的優(yōu)良開關(guān)特性。
（全SiC模塊）
（全SiC模塊性能） 富士分析儀
“中國的經(jīng)濟轉(zhuǎn)型體現(xiàn)在兩個方面，其一是中國經(jīng)濟的轉(zhuǎn)型升級，其二是從中國制造向中國創(chuàng)造轉(zhuǎn)型。用戶需求一方面受到國家政策主導和行業(yè)發(fā)展推動影響，另一方面是主觀意愿的轉(zhuǎn)型提升尋求更大發(fā)展空間?！眽V越 敏夫分析指出，用戶需求具體體現(xiàn)在對半導體原材料要求更高、產(chǎn)品技術(shù)要求更高、產(chǎn)品可靠性要求更高，同時在保證上述需求的基礎(chǔ)上要求有更高的性價比，甚至有的客戶抱有成本逐年遞減的需求。
面對新形勢和新需求，富士電機半導體 憑借三十多年的經(jīng)驗積累不斷追求技術(shù)創(chuàng)新，在對產(chǎn)品全方位升級優(yōu)化的同時，以本地化生產(chǎn)、快速服務(wù)響應(yīng)來貼近中國用戶。如旗下深圳工廠全面導入日本精益生產(chǎn)管理理念，確保產(chǎn)品品質(zhì)，縮短產(chǎn)品上市時間，提供本地快速服務(wù)，幫助客戶有效降低成本?；谝陨?，塚越 敏夫相信富士電機半導體 將在中國傳統(tǒng)工業(yè)領(lǐng)域有更加出色的表現(xiàn)。
瞄準新能源汽車持續(xù)發(fā)功 富士分析儀
作為富士電機半導體業(yè)務(wù)發(fā)展的一大亮點，2015年其 功率半導體模塊在新能源汽車行業(yè)銷量同比增長3倍。塚越 敏夫?qū)Υ私忉尩?，“在新能源汽車和充電樁的帶動下，以IGBT為代表的功率半導體模塊行業(yè)迎來了新的成長機遇，特別是2015年新能源汽車進入爆發(fā)期。富士電機IGBT模塊的訂單收獲主要來自于電動大巴的應(yīng)用，這塊市場起步不久，市場基數(shù)雖小但增幅大?！?nbsp;
展會現(xiàn)場，富士電機帶來面向車載應(yīng)用的最新產(chǎn)品高電流密度六合一IGBT模塊，可用于純電動汽車（EV）、混合動力汽車（HEV）等電動汽車。它是富士電機的汽車級 IGBT模塊的第3代產(chǎn)品。
（汽車級 模塊）
與采用上代產(chǎn)品技術(shù)相比，第3代新品尺寸減少50%，重量減輕60%，而功率密度達到原來的約2倍；額定電壓為750V，額定電流為800A，最高工作溫度為175℃。與第2代產(chǎn)品一樣，第3代產(chǎn)品采用“直接水冷方式”，但改進了冷卻機構(gòu)。冷卻風扇的材料由原來的銅換成鋁，同時更改了冷卻片的形狀和配置。另外，在IGBT模塊的冷卻片一側(cè)安裝了流水的“水槽”。通過改進水槽 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品冷卻性能。另一項改進是采用了將IGBT和二極管集成在一個芯片上的“RC-IGBT”。與分別單獨配置IGBT和二極管時相比，可以減小功率元件的芯片面積。IGBT部分采用了富士電機最新的第7代“X系列”產(chǎn)品。
據(jù)塚越 敏夫介紹，由于電動汽車開發(fā)周期長，富士電機與該領(lǐng)域合作伙伴保持零距離接觸，充分了解客戶需求共同開發(fā)定制化產(chǎn)品，雙方的商業(yè)合作模式并非純粹的買賣關(guān)系，而是更加注重長遠發(fā)展的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。鑒于IGBT模塊是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，接下來，富士電機將在新能源汽車和充電樁領(lǐng)域逐步延伸。（文轉(zhuǎn)自gongkong）
（富士電機其他部分展品）
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