| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-11-50-2A-R, |
| 類型 | 無級(jí)減速器 | 載荷狀態(tài) | 強(qiáng)沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 雙級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 同軸式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 礦產(chǎn) | 減速比 | 45 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
在淀積過程中，硅片被送入高溫?cái)U(kuò)散爐，日本HD高爐設(shè)備諧波CSF-11-50-2A-R雜質(zhì)原子從材料源處轉(zhuǎn)移到擴(kuò)散爐內(nèi)，爐溫通常設(shè)為800~1000℃，持續(xù)時(shí)間10~30分鐘，這時(shí)雜質(zhì)處于硅片的表面，為防止雜質(zhì)的流失，在硅的表面需要生成薄層氧化層。預(yù)淀積過程為擴(kuò)散過程建立了濃度梯度，從表面深入到硅片的內(nèi)部，日本HD高爐設(shè)備諧波CSF-11-50-2A-R雜質(zhì)的濃度逐漸降低。熱擴(kuò)散的第二步是推進(jìn)，其作用是使淀積的雜質(zhì)穿過硅晶體，在硅片中達(dá)到一定的深度。推進(jìn)溫度在1000~1250℃。日本HD高爐設(shè)備諧波CSF-11-50-2A-R熱擴(kuò)散的第三步是激活，當(dāng)溫度進(jìn)一步升高時(shí)，雜質(zhì)原子與硅原子鍵合，從而改變硅的導(dǎo)電率。雜質(zhì)只有在成為硅晶格的結(jié)構(gòu)的一部分，才有助于形成半導(dǎo)體硅。
