| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-11-50-2A-R |
| 類型 | 無級(jí)減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 單級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 擺線式 | 用途 | 變速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 34 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
擴(kuò)散在高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行，harmonic熱處理諧波傳動(dòng)CSF-11-50-2A-R在高溫爐中完成擴(kuò)散的三個(gè)步驟。高溫爐設(shè)備結(jié)構(gòu)見節(jié)熱處理工藝單元設(shè)備。
通過物理注入方式向硅襯底引入一定數(shù)量的雜質(zhì)harmonic熱處理諧波傳動(dòng)CSF-11-50-2A-R，將改變硅片的電學(xué)性能。離子注入的主要用途是摻雜半導(dǎo)體材料。目前離子注入方法優(yōu)于擴(kuò)散工藝，成為半導(dǎo)體摻雜工藝的主要方法。
1.離子注入機(jī)
離子注入工藝在離子注入機(jī)內(nèi)進(jìn)行。離子注入機(jī)結(jié)構(gòu)如圖2.20所示，一般離子注入機(jī)設(shè)備包括5個(gè)部分。
（1） 離子源。注入離子在離子源中產(chǎn)生，harmonic熱處理諧波傳動(dòng)CSF-11-50-2A-R正離子由雜質(zhì)氣態(tài)源或固態(tài)源的蒸汽產(chǎn)生。
引出電極（吸級(jí)）和離子分析器。離子通過離子源上的一個(gè)窄縫被吸出組件吸引。注入機(jī)中的磁性離子分析器能將需要的雜質(zhì)離子從混合的離子束中分離出來。
