| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-11-50-2A-R |
| 類(lèi)型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 雙級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 同軸式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 擺線式 | 用途 | 減速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | 額定功率 | 15kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 111rpm | 許用扭矩 | 1782N.m |
| 使用范圍 | 工業(yè) | 減速比 | 60 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
半導(dǎo)體生產(chǎn)中的熱處理工藝主要是退火工藝。在離子注入后，日本HD高溫硅片諧波CSF-11-50-2A-R硅片的晶格因原子撞擊而損傷。另外被注入離子不占據(jù)硅的晶格，處于晶格間隙位置。經(jīng)過(guò)退火處理后雜質(zhì)原子被激活，運(yùn)動(dòng)到硅片晶格上。退火同時(shí)修復(fù)了晶格損傷。
1.熱處理工藝
晶格修復(fù)溫度大約為500℃，日本HD高溫硅片諧波CSF-11-50-2A-R激活雜質(zhì)原子溫度大約為950℃。硅片退火使用兩種方法。
（1） 高溫退火
在高溫爐中將注入雜質(zhì)的硅片加熱至800~1000℃，日本HD高溫硅片諧波CSF-11-50-2A-R保溫30分鐘。在此溫度下可修復(fù)晶格損傷，并且實(shí)現(xiàn)硅晶格上原子的替換。這種熱處理工藝會(huì)造成雜質(zhì)的擴(kuò)散。
（2） 快速熱處理
快速升溫到1000℃，并且快速對(duì)硅片進(jìn)行退火處理。通常在通入Ar或N2的快速熱處
