| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-17-80-2UH-LW |
| 類(lèi)型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 雙級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 臥式減速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 硬齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 111kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 礦產(chǎn) | 減速比 | 564 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
薄膜生長(zhǎng) 薄膜生長(zhǎng)工藝用來(lái)加工出半導(dǎo)體中的介質(zhì)層、金屬層。哈默納科化學(xué)機(jī)械諧波CSF-17-80-2UH-LW薄膜工藝包括化學(xué)氣相淀積（CVD）和金屬濺射（物理氣相淀積，PVD）。哈默納科化學(xué)機(jī)械諧波CSF-17-80-2UH-LW薄膜產(chǎn)生后需要使用快速退火裝置（RPT）修復(fù)離子注入引入的襯底損傷，以及完成金屬的合金化。最后使用濕法清洗設(shè)備進(jìn)行硅片清洗。
（6）拋光 CMP（化學(xué)機(jī)械平坦化）工藝用于硅片表面的平坦化。CMP用化學(xué)腐蝕哈默納科化學(xué)機(jī)械諧波CSF-17-80-2UH-LW
與機(jī)械研磨相結(jié)合，以去除硅片表面的凹凸不平。主要設(shè)備是拋光機(jī)，輔助設(shè)備包括刷片機(jī)、清洗裝置和測(cè)量工具。
