| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-17-80-2UH-LW |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 強(qiáng)沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 單級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 否 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 擺線式 | 用途 | 變速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 111rpm | 許用扭矩 | 1782N.m |
| 使用范圍 | 工業(yè) | 減速比 | 432 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
氧化(Oxidation)工藝的主要目的是在硅襯底表面形成SiO2氧化膜。SiO2在微電子和微系統(tǒng)中的主要應(yīng)用包括：哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW鈍化晶體表面，形成化學(xué)和電的穩(wěn)定表面，即器件表面保護(hù)或鈍化膜；作為后續(xù)工藝步驟（擴(kuò)散或離子注入）的掩模（摻雜掩模、刻蝕掩模）；形成介質(zhì)膜用于器件間的隔離哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW或作器件結(jié)構(gòu)中的絕緣層（非導(dǎo)電膜）；在襯底或其他材料間形成界面層（或犧牲層）。
化學(xué)氣相淀積是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，以某種方式激活后，通過(guò)原子或分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑在襯底上淀積生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。CVD膜的結(jié)構(gòu)可以是單晶、多晶或非晶態(tài)。利用CVD可獲得高純的晶態(tài)或非晶態(tài)的金屬哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW、半導(dǎo)體、化合物薄膜，能有效控制薄膜化學(xué)成分，且設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)成本低，與其他相關(guān)工藝有較好的相容性。
