| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | CSF-50-160-2UH, |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 強(qiáng)沖擊載荷 |
| 傳動比級數(shù) | 無級 | 軸的相對位置 | 立式加速器 |
| 傳動布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 硬齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 礦產(chǎn) | 減速比 | 50 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
常用的干法等離子體反應(yīng)器類型包括圓筒式等離子體反應(yīng)器、平板式反應(yīng)器、日本HD離子設(shè)備諧波CSF-50-160-2UH順流刻蝕系統(tǒng)、三級平面反應(yīng)器、離子銑、反應(yīng)離子刻蝕器、高密度等離子體刻蝕機(jī)等。
圖2.19所示為由平板反應(yīng)器構(gòu)成的平板等離子刻蝕機(jī)系統(tǒng)日本HD離子設(shè)備諧波CSF-50-160-2UH。反應(yīng)器有兩個大小和位置對稱的平行金屬板，硅片背面朝下放置于接地的陰極上面，RF信號加在反應(yīng)器的上電極。由于等離子體電勢高于地電勢，因此這是一種帶能離子進(jìn)行轟擊的等離子體刻蝕模式。一個刻蝕系統(tǒng)的能力及控制方法對成功加工硅片非常關(guān)鍵。
早期濕法腐蝕主要用于硅片刻蝕，現(xiàn)在濕法腐蝕的功能大部分被干法刻蝕代替。目前濕法腐蝕主要用于漂去氧化物、去除殘留物、表層剝離，以及較大特征尺寸的圖形腐蝕。濕法腐蝕設(shè)備較為簡單，日本HD離子設(shè)備諧波CSF-50-160-2UH通常使用一個液體槽，采用浸泡或噴射的方法批量處理硅片。
濕法腐蝕設(shè)備的主要控制參數(shù)包括溶液濃度、浸泡時間、腐蝕槽的溫度、溶液槽的攪動、處理硅片的批次等。
