| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-50-160- |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 強(qiáng)沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 雙級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 同軸式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 變速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 機(jī)械設(shè)備 | 減速比 | 46 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
摻雜是把雜質(zhì)引入半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)中，以改變半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的一種方法。harmonic雜質(zhì)處理諧波CSF-50-160-2UH在芯片制造中常用兩種方法向硅片中引入雜質(zhì)元素，即熱擴(kuò)散和離子注入。熱擴(kuò)散利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過硅的晶格結(jié)構(gòu)，這種方法受到時(shí)間和溫度的影響。離子注入通過高壓離子轟擊把雜質(zhì)引入硅片。雜質(zhì)通過與硅片發(fā)生原子級(jí)的高能碰撞，才能被注入。
擴(kuò)散分為三種，即氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)。在半導(dǎo)體制造中，harmonic雜質(zhì)處理諧波CSF-50-160-2UH利用高溫?cái)U(kuò)散驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過硅晶格。硅中固態(tài)雜質(zhì)的擴(kuò)散需要三個(gè)步驟：預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。
在淀積過程中，硅片被送入高溫?cái)U(kuò)散爐，雜質(zhì)原子從材料源處轉(zhuǎn)移到擴(kuò)散爐內(nèi)，爐溫通常設(shè)為800~1000℃，持續(xù)時(shí)間10~30分鐘，這時(shí)雜質(zhì)處于硅片的表面，為防止雜質(zhì)的流失，在硅的表面需要生成薄層氧化層harmonic雜質(zhì)處理諧波CSF-50-160-2UH。預(yù)淀積過程為擴(kuò)散過程建立了濃度梯度，從表面深入到硅片的內(nèi)部，雜質(zhì)的濃度逐漸降低
