| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | CSF-50-160-2UH |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動比級數(shù) | 雙級 | 軸的相對位置 | 臥式減速器 |
| 傳動布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 樣品 | 齒面硬度 | 硬齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 變速機 |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 礦產(chǎn) | 減速比 | 65 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
熱擴散的第二步是推進，其作用是使淀積的雜質(zhì)穿過硅晶體，哈默納科半導體硅諧波CSF-50-160-2UH在硅片中達到一定的深度。推進溫度在1000~1250℃。熱擴散的第三步是激活，當溫度進一步升高時，雜質(zhì)原子與硅原子鍵合，從而改變硅的導電率。雜質(zhì)只有在成為硅晶格的結(jié)構的一部分，才有助于形成半導體硅。
擴散在高溫擴散爐中進行，在高溫爐中完成擴散的三個步驟。哈默納科半導體硅諧波CSF-50-160-2UH高溫爐設備結(jié)構見2.5.1節(jié)熱處理工藝單元設備。
通過物理注入方式向硅襯底引入一定數(shù)量的雜質(zhì)，將改變硅片的電學性能。離子注入的主要用途是摻雜半導體材料。目前離子注入方法優(yōu)于擴散工藝，成為半導體摻雜工藝的主要方法。
1.離子注入機
離子注入工藝在離子注入機內(nèi)進行。哈默納科半導體硅諧波CSF-50-160-2UH，一般離子注入機設備包括5個部分。
（1） 離子源。注入離子在離子源中產(chǎn)生，正離子由雜質(zhì)氣態(tài)源或固態(tài)源的蒸汽產(chǎn)生。
引出電極（吸級）和離子分析器。離子通過離子源上的一個窄縫被吸出組件吸引。
