| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號 | FS300R17KE3,AGDR-71C |
| 用途 | 其他 | 封裝外形 | 其他 |
| 材料 | 其他 | 相數(shù) | 其他 |
| 控制方式 | 其他 | 主電路形式 | 其他 |
| 頻率 | 其他 | 加工定制 | 否 |
| 導(dǎo)電溝道 | 其他 | 導(dǎo)電方式 | 其他 |
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
IGBTABB模塊FS300R17KE3/AGDR-71C
IGBT模塊幾個管腳?
IGBT的封裝很多，有14封裝，6封裝，2封裝，單管。它們的管腳數(shù)是不一樣的。其中常用的是2封裝，即上下橋。這種器件有7管腳，分別是1、上橋E下橋C。2、下橋E。3、上橋C。4、上橋G。5、上橋GE保護(hù)的E。6、下橋GE保護(hù)的E。7、下橋G。
變頻器為什么用12個IGBT模塊?
小功率用的是集成模塊，一個就可以了，但是一般也就只是做到15KW，18.5KW到90KW一般用三個IGBT,110KW用6個IGBT ,因為變頻器用IGBT zui大一般做到400A左右，90KW的要360A，所以3個可以滿足，110KW要440A，的話要兩組250A的模塊，達(dá)到500A，像200KW變頻器，需要的IGBT達(dá)到800A，也就是兩組400A，放大的話，可以是3組300A，或者4組250A，也就是12個IGBT,這樣放大，可以承受很大的瞬間電流。變頻器核心的就是IGBT,成本zui高的也是IGBT,體現(xiàn)一個品牌的也是在IGBT的運用能力上。
