| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌/廠家 | 其他 | 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | 其他 | 反向恢復時間 (trr) | 其他 |
浦東新區(qū)專業(yè)全新英飛凌西門康IGBT模塊回收廠家，電話：13381583360
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回收IGBT模塊、IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。
回收IGBT模塊、IGBT模塊的制造工藝流程：
1、IGBT模塊封裝是將多個IGBT集成封裝在一起，以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性，而IGBT模塊的市場需求趨勢則是體積更小、效率更高、可靠性更高，實現(xiàn)這些技術就有待于IGBT模塊封裝技術的研發(fā)。目前流行的IGBT模塊封裝形式有引線型、焊針型、平板式、圓盤式四種，常見的模塊封裝技術有很多，各生產(chǎn)商的命名也不一樣，如英飛凌的62mm封裝、TP34、DP70等等。IGBT模塊有3個連接部分，分別是硅片上的鋁線鍵合點、硅片與陶瓷絕緣基板的焊接面、陶瓷絕緣基板與銅底板的焊接面。這些接點的損壞都是由于接觸面兩種材料的熱膨脹系數(shù)相抵觸而產(chǎn)生的應力和材料的熱惡化造成的；
