工作溫度會(huì)影響傳感器的靈敏度。 下圖左圖是針對SnO2氣體感應(yīng)設(shè)備的各種氣體溫度的電阻特性曲線。 由圖可見，裝置依據(jù)溫度而對不同氣體的敏感度不同，且能夠利用此特性來識(shí)別氣體的類型。 制備工藝對SnO2的氣敏特性也有很大影響。 如果在SnO2中添加ThO2，改變燒結(jié)溫度和加熱溫度會(huì)產(chǎn)生不同的氣體靈敏度效果。
1、敏感度當(dāng)氡氣濃度值較低時(shí)，氡氣敏MOSFET敏感度很高，1ppm氡氣濃度值轉(zhuǎn)變，△UT的值可做到10mV，當(dāng)氡氣濃度值較高時(shí)，控制器的敏感度會(huì)減少。2、對汽體可選擇性鈀原子間的“間隙”正好能讓氫原子根據(jù)，因而，鈀柵只容許氡氣根據(jù)，有非常好的可選擇性。3、響應(yīng)速度這類元器件的響應(yīng)速度受溫度、氡氣濃度值的危害，一般溫度越高，氫氣濃度越高，響應(yīng)越快，常溫下的響應(yīng)時(shí)間為幾十秒。
4、可靠性具體運(yùn)用中，存有UT隨時(shí)間飄移的特點(diǎn)，因此，選用在HCl氛圍中生長發(fā)育一層SiO2電纜護(hù)套，能夠 明顯改進(jìn)UT的飄移。除氡氣外，別的汽體不可以根據(jù)鈀柵，制做別的汽體的Pd—MOSFET氣敏傳感器要選用一定對策，如制做CO敏MOSFET時(shí)要在鈀柵上制做約20nm的小圓孔，就能夠 容許CO汽體根據(jù)。此外，由于Pd—MOSFET對氫氣有較高的靈敏度，而對CO的靈敏度卻較低，為此可在鈀柵上蒸發(fā)一層厚約20nm的鋁作保護(hù)層，阻止氫氣通過。鈀對氨氣分解反應(yīng)的催作用較弱，為此，要先在SiO2絕緣層上沉淀一層活性金屬，如Pt、Ir、La等。再制作鈀柵，可制成氨氣敏MOSFET。
