望花區(qū)批發(fā)韓國(guó)Autovalve閥門AD65-80S3-S/V-L/S中山立訊電氣/中山朗立電氣批發(fā)KG AUTO急停開關(guān)KGE系列
KGE-N4R1R KGE-H4R1R
KGE-N4R1R,KGE-N4R1G,KGE-N4R2R,KGE-N4R2G
KGE-H4R1R,KGE-H4R1G,KGE-H4R2R,KGE-H4R2G
KGE-C4R1R,KGE-C4R1G,KGE-C4R2R,KGE-C4R2G
KGE-J4R1R,KGE-J4R1G,KGE-J4R2R,KGE-J4R2G
KGE-L4R1R,KGE-L4R1G,KGE-L4R2R,KGE-L4R2G
KG AUTO帶燈急停開關(guān)KGEX系列
KGEX-N4BD21R,KGEX-N4BD22R,KGEX-N4BD21Y,KGEX-N4BD22Y,KGEX-N4BD21G,KGEX-N4BD22G
KGEX-N4BV21R,KGEX-N4BV22R,KGEX-N4BV21Y,KGEX-N4BV22Y,KGEX-N4BV21G,KGEX-N4BV22G
KGEX-H4BD21R,KGEX-H4BD22R,KGEX-H4BD21Y,KGEX-H4BD22Y,KGEX-H4BD21G,KGEX-H4BD22G
KGEX-H4BV21R,KGEX-H4BV22R,KGEX-H4BV21Y,KGEX-H4BV22Y,KGEX-H4BV21G,KGEX-H4BV22G
KGEX-C4BD21R,KGEX-C4BD22R,KGEX-C4BD21Y,KGEX-C4BD22Y,KGEX-C4BD21G,KGEX-C4BD22G
KGEX-C4BV21R,KGEX-C4BV22R,KGEX-C4BV21Y,KGEX-C4BV22Y,KGEX-C4BV21G,KGEX-C4BV22G
KGEX-J4BD21R,KGEX-J4BD22R,KGEX-J4BD21Y,KGEX-J4BD22Y,KGEX-J4BD21G,KGEX-J4BD22G
KGEX-J4BV21R,KGEX-J4BV22R,KGEX-J4BV21Y,KGEX-J4BV22Y,KGEX-J4BV21G,KGEX-J4BV22G
KGEX-L4BD21R,KGEX-L4BD22R,KGEX-L4BD21Y,KGEX-L4BD22Y,KGEX-L4BD21G,KGEX-L4BD22G
KGEX-L4BV21R,KGEX-L4BV22R,KGEX-L4BV21Y,KGEX-L4BV22Y,KGEX-L4BV21G,KGEX-L4BV22G
常見的有3位和4位的。很顯然，3位數(shù)的計(jì)數(shù)器可以顯示到999，4位數(shù)的可以顯示到9999。中文名計(jì)數(shù)器釋義運(yùn)算的邏輯電路功能測(cè)量、計(jì)數(shù)和控制指標(biāo)計(jì)數(shù)器的位數(shù)目錄1基本信息2作用3種類4應(yīng)用?軟件簡(jiǎn)介?要求基本信息編輯狹義的計(jì)數(shù)器是指一些常用計(jì)時(shí)器，例如體育比賽中測(cè)試時(shí)間的計(jì)時(shí)器等，但本詞條所要介紹的并不是這種計(jì)時(shí)器，要介紹的是應(yīng)用更為廣泛的時(shí)序邏輯電路中的計(jì)數(shù)器。作用編輯在數(shù)字電子技術(shù)中應(yīng)用的多的時(shí)序邏輯電路。計(jì)數(shù)器不僅計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)器能用于對(duì)時(shí)鐘脈沖計(jì)數(shù)，還可以用于分頻、定時(shí)、產(chǎn)生節(jié)拍脈沖和脈沖序列以及進(jìn)行數(shù)字運(yùn)算等。但是并無(wú)法顯示計(jì)算結(jié)果，一般都是要通過(guò)外接LCD或LED屏才能顯示。種類編輯如果按照計(jì)數(shù)器中的觸發(fā)器是否同時(shí)翻轉(zhuǎn)分類。通道間全隔離，隔離電壓大于400V◇輸出規(guī)格8路報(bào)警輸出、2路485輸出，其他可定制配電：12路配電，4組24VDC輸出，輸出電流50mA/組12路可組態(tài)繼電器觸點(diǎn)輸出，觸點(diǎn)容量為3A、250VAC（阻性負(fù)載）默認(rèn)為常開觸點(diǎn)多4路模擬量變送輸出，4～20mADC,負(fù)載電阻小于600Ω◇顯示器144*144彩色液晶顯示屏，帶背光，寬視角◇基本誤差±0.2%F·S◇補(bǔ)償運(yùn)算蒸汽：根據(jù)IFC67公式計(jì)算蒸汽密度補(bǔ)償蒸汽的質(zhì)量流量一般氣體：溫度、壓力補(bǔ)償測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)體積流量天然氣：溫度、壓力補(bǔ)償測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)體積流量液體：溫度補(bǔ)償測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)體積流量或質(zhì)量流量蒸汽：壓力0.1～4.5MPa溫度100～500℃密度0.1～100Kg/m3比焓2508～3224Kj/Kg一般氣體：壓力0～60MPa溫度-100～500℃液體：溫度-100～500℃◇累積范圍0～99999999◇通訊、打印通訊接口：RS232C或RS485波特率：19200打印接口：RS232C串口微型打印機(jī)10MEthernet標(biāo)準(zhǔn)RJ45接口◇記錄時(shí)間記錄間隔：240秒可選記錄長(zhǎng)度：36小時(shí)/筆（記錄間隔1秒）～360天/筆（記錄間隔4分）記錄間隔1秒2秒5秒10秒15秒1分鐘2分鐘4分鐘記錄長(zhǎng)度72小時(shí)6天15天30天45天180天360750天◇數(shù)據(jù)備份和轉(zhuǎn)存2G～4G優(yōu)盤可選（USB接口）◇熱電偶冷端補(bǔ)償誤差±1℃◇斷電保護(hù)內(nèi)置FLASH存儲(chǔ)器。
KG AUTO蜂鳴器KGB系列
KGB-ND2B,KGB-NV2B,
KGB-HD2B,KGB-HV2B
KGB-CD2B,KGB-CV2B
KGB-JD2B,KGB-JV2B
KGB-LD2B,KGB-LV2B
KG AUTO轉(zhuǎn)換開關(guān)KGT系列
KGT-N2M1D1R,KGT-N2M1D1Y,KGT-N2M1D1G,KGT-N2M1D1A,KGT-N2M1D1W
KGT-N2M2D1R,KGT-N2M2D1Y,KGT-N2M2D1G,KGT-N2M2D1A,KGT-N2M2D1W
KGT-N2R1D1R,KGT-N2R1D1Y,KGT-N2R1D1G,KGT-N2R1D1A,KGT-N2R1D1W
KGT-N2R2D1R,KGT-N2R2D1Y,KGT-N2R2D1G,KGT-N2R2D1A,KGT-N2R2D1W
KGT-N2M1D2R,KGT-N2M1D2Y,KGT-N2M1D2G,KGT-N2M1D2A,KGT-N2M1D2W
KGT-N2M2D2R,KGT-N2M2D2Y,KGT-N2M2D2G,KGT-N2M2D2A,KGT-N2M2D2W
KGT-N2R1D2R,KGT-N2R1D2Y,KGT-N2R1D2G,KGT-N2R1D2A,KGT-N2R1D2W
KGT-N2R2D2R,KGT-N2R2D2Y,KGT-N2R2D2G,KGT-N2R2D2A,KGT-N2R2D2W
KG AUTO轉(zhuǎn)換開關(guān)KGT系列
KGT-N2M1D3R,KGT-N2M1D3Y,KGT-N2M1D3G,KGT-N2M1D3A,KGT-N2M1D3W
KGT-N2M2D3R,KGT-N2M2D3Y,KGT-N2M2D3G,KGT-N2M2D3A,KGT-N2M2D3W
KGT-N2R1D3R,KGT-N2R1D3Y,KGT-N2R1D3G,KGT-N2R1D3A,KGT-N2R1D3W
KGT-N2R2D3R,KGT-N2R2D3Y,KGT-N2R2D3G,KGT-N2R2D3A,KGT-N2R2D3W
KGT-N2M1V2R,KGT-N2M1V2Y,KGT-N2M1V2G,KGT-N2M1V2A,KGT-N2M1V2W
KGT-N2M2V2R,KGT-N2M2V2Y,KGT-N2M2V2G,KGT-N2M2V2A,KGT-N2M2V2W
KGT-N2R1V2R,KGT-N2R1V2Y,KGT-N2R1V2G,KGT-N2R1V2A,KGT-N2R1V2W
因此電壓互感器的容量很小，一般都只有幾伏安、幾十伏安，也不超過(guò)一千伏安。詞條介紹了其基本結(jié)構(gòu)、工作原理、主要類型、接線方式、注意事項(xiàng)、異常與處理、以及鐵磁諧振等。中文名電壓互感器外文名Potentialtransber簡(jiǎn)稱PT作用變換線路上的電壓解釋帶鐵心的變壓器組成主要由二次線圈、鐵心和絕緣所屬領(lǐng)域電力、能源涉及學(xué)科電學(xué)、電磁學(xué)目錄1基本結(jié)構(gòu)2工作原理3主要類型4銘牌標(biāo)志5接線方式6注意事項(xiàng)7異常與處理?常見異常?處理方法8鐵磁諧振?主要特點(diǎn)?消除辦法基本結(jié)構(gòu)編輯電壓互感器的基本結(jié)構(gòu)和變壓器很相似，它也有兩個(gè)繞組，一個(gè)叫一次繞組，一個(gè)叫二次繞組。兩個(gè)繞組都裝在或繞在鐵心上。兩個(gè)繞組之間以及繞組與鐵心之間都有絕緣。凸出式插拔式結(jié)構(gòu)，嵌入式插拔結(jié)構(gòu)，導(dǎo)軌式結(jié)構(gòu)等，并有透明的塑料外罩（導(dǎo)軌式為全封閉式)，用薄碼進(jìn)行整定。當(dāng)被測(cè)量的交流電壓經(jīng)隔離變壓器降壓后得到與被測(cè)電壓成正比的電壓Ui，經(jīng)整定后進(jìn)行整流，整流后脈沖電壓經(jīng)濾波器濾波，得到與Ui成正比的直流電壓Uo，在電平檢測(cè)中Uo與直流參考電壓Ue進(jìn)行比較，若直流電壓Uo高于參考電壓，電平檢測(cè)器輸出正信號(hào)，驅(qū)動(dòng)出口繼電器，則本繼電器處于動(dòng)作狀態(tài)。反之，不論是過(guò)電壓繼電器或是低電壓繼電器，若直流電壓Uo低于參考電壓Ue，電平檢測(cè)器輸出負(fù)信號(hào)，本繼電器處于不動(dòng)作狀態(tài)。2.主要技術(shù)參數(shù)輔助電源：AC/DC85-265V過(guò)載能力：交流回路允許長(zhǎng)期接通1.2倍額定值。
KG AUTO轉(zhuǎn)換開關(guān)KGT系列
KGT-N2R2V2R,KGT-N2R2V2Y,KGT-N2R2V2G,KGT-N2R2V2A,KGT-N2R2V2W
KGT-N2M1V3R,KGT-N2M1V3Y,KGT-N2M1V3G,KGT-N2M1V3A,KGT-N2M1V3W
KGT-N2M2V3R,KGT-N2M2V3Y,KGT-N2M2V3G,KGT-N2M2V3A,KGT-N2M2V3W
KGT-N2R1V3R,KGT-N2R1V3Y,KGT-N2R1V3G,KGT-N2R1V3A,KGT-N2R1V3W
KGT-N2R2V3R,KGT-N2R2V3Y,KGT-N2R2V3G,KGT-N2R2V3A,KGT-N2R2V3W
KG AUTO轉(zhuǎn)換開關(guān)KGT系列
KGT-H2M1D1R,KGT-H2M1D1Y,KGT-H2M1D1G,KGT-H2M1D1A,KGT-H2M1D1W
KGT-H2M2D1R,KGT-H2M2D1Y,KGT-H2M2D1G,KGT-H2M2D1A,KGT-H2M2D1W
KGT-H2R1D1R,KGT-H2R1D1Y,KGT-H2R1D1G,KGT-H2R1D1A,KGT-H2R1D1W
KGT-H2R2D1R,KGT-H2R2D1Y,KGT-H2R2D1G,KGT-H2R2D1A,KGT-H2R2D1W
KGT-H2M1D2R,KGT-H2M1D2Y,KGT-H2M1D2G,KGT-H2M1D2A,KGT-H2M1D2W
KGT-H2M2D2R,KGT-H2M2D2Y,KGT-H2M2D2G,KGT-H2M2D2A,KGT-H2M2D2W
KGT-H2R1D2R,KGT-H2R1D2Y,KGT-H2R1D2G,KGT-H2R1D2A,KGT-H2R1D2W
KGT-H2R2D2R,KGT-H2R2D2Y,KGT-H2R2D2G,KGT-H2R2D2A,KGT-H2R2D2W
KGT-H2M1D3R,KGT-H2M1D3Y,KGT-H2M1D3G,KGT-H2M1D3A,KGT-H2M1D3W
KGT-H2M2D3R,KGT-H2M2D3Y,KGT-H2M2D3G,KGT-H2M2D3A,KGT-H2M2D3W
KG AUTO轉(zhuǎn)換開關(guān)KGT系列完全關(guān)斷同樣開關(guān)Q1的時(shí)間大約是完全導(dǎo)通時(shí)間的48倍。當(dāng)外部負(fù)載或C2在啟動(dòng)瞬間要汲取較大電流時(shí)，快速導(dǎo)通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復(fù)位門檻電壓從而導(dǎo)致復(fù)位出現(xiàn)，因此在圖2基礎(chǔ)上再增加一RC網(wǎng)絡(luò)以減緩其開通過(guò)程，合適地選擇R、C可使負(fù)載連接過(guò)程延續(xù)到幾個(gè)MAX668開關(guān)工作周期，使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復(fù)位門檻電壓。假如R、C使Q1的導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，同時(shí)也延長(zhǎng)了關(guān)斷時(shí)間。因此需要在電阻上并聯(lián)一肖特基二極管，以加速當(dāng)負(fù)載過(guò)載時(shí)關(guān)閉Q1的進(jìn)程。為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降（特別是低輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)）。或可采用高速可控硅(晶閘管)。關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開路電壓VDRM的值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來(lái)防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上[2]。
KGT-H2R1D3R,KGT-H2R1D3Y,KGT-H2R1D3G,KGT-H2R1D3A,KGT-H2R1D3W
KGT-H2R2D3R,KGT-H2R2D3Y,KGT-H2R2D3G,KGT-H2R2D3A,KGT-H2R2D3W
KGT-H2M1V2R,KGT-H2M1V2Y,KGT-H2M1V2G,KGT-H2M1V2A,KGT-H2M1V2W
KGT-H2M2V2R,KGT-H2M2V2Y,KGT-H2M2V2G,KGT-H2M2V2A,KGT-H2M2V2W
KGT-H2R1V2R,KGT-H2R1V2Y,KGT-H2R1V2G,KGT-H2R1V2A,KGT-H2R1V2W
KGT-H2R2V2R,KGT-H2R2V2Y,KGT-H2R2V2G,KGT-H2R2V2A,KGT-H2R2V2W
KGT-H2M1V3R,KGT-H2M1V3Y,KGT-H2M1V3G,KGT-H2M1V3A,KGT-H2M1V3W
KGT-H2M2V3R,KGT-H2M2V3Y,KGT-H2M2V3G,KGT-H2M2V3A,KGT-H2M2V3W
KGT-H2R1V3R,KGT-H2R1V3Y,KGT-H2R1V3G,KGT-H2R1V3A,KGT-H2R1V3W
KGT-H2R2V3R,KGT-H2R2V3Y,KGT-H2R2V3G,KGT-H2R2V3A,KGT-H2R2V3W
