ST2319SRG替代Si2319CDS、Si2319DDS
描述 特征 SOT-23封裝設(shè)計(jì)
ST2319SRG是P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程
特別是定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力。這些設(shè)備是特別
適用于低電壓應(yīng)用，如蜂窩電話和筆記本電腦
電源管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開(kāi)關(guān)和
在一個(gè)非常小的輪廓表面貼裝封裝需要低的在線功率損耗
- 40V / -3.5a，RDS（上）= 75mΩ（典型值）
@ VGS = - 10V
- 40V / -2.8a，RDS（上）＝105mΩ
@ VGS = 4.5v
超高密度電池設(shè)計(jì)
極低的RDS（on）
特殊的阻力和最大
直流電流的能力
