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產(chǎn)品簡介
芯片量產(chǎn)測試、芯片ATE測試程序開發(fā);V93000\J750
芯片量產(chǎn)測試、芯片ATE測試程序開發(fā);V93000\J750
產(chǎn)品價格:
上架日期:2022-11-17 17:17:31
產(chǎn)地:本地
發(fā)貨地:本地至全國
供應(yīng)數(shù)量:不限
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詳細(xì)說明

    芯片量產(chǎn)測試、ATE開發(fā)


    ATEautomatic test equipment)自動測試系統(tǒng),用于測試集成電路功能、直流參數(shù)和交流參數(shù)的測試設(shè)備,檢測被測器件參數(shù)和性能指標(biāo)是否滿足規(guī)范。集計算機技術(shù)、自動化技術(shù)、通信技術(shù)、精密電子測量技術(shù)和微電子技術(shù)于一身。


    測試依據(jù):集成電路規(guī)范、芯片規(guī)格書、用戶測試方案 。


    測試內(nèi)容:包含功能測試和DC&AC電參數(shù)測試

    Open/Short: 檢查芯片引腳中是否有開路或短路。

    Function test: Test mode測試芯片的邏輯功能。

    Mixed Signal: 驗證數(shù)?;旌想娐返墓δ芗靶阅軈?shù)。

    DC test: 驗證器件直流電流和電壓參數(shù)。

    AC test: 驗證交流規(guī)格,包括交流輸出信號的質(zhì)量和信號時序參數(shù)。

    Eflash: 測試內(nèi)嵌flash的功能及性能,包含讀寫擦除動

    作及功耗和速度等各種參數(shù)。

    RF test: 測試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。




    覆蓋芯片類型:

    微處理器: CPUMCU、DSP。

    存儲器系列:Sramflash、dram、 eprom、eeprom、fifo。

    模擬、數(shù)?;旌想娐?/span>: AD/DA、運放。

    可編程邏輯器件 :FPGA、CPLD。

    總線、接口系列: 74/54系列、電平轉(zhuǎn)換、 RS232、RS485SPI、 UART、IICJTAG。

    電源類器件 :DC-DC、LDO

     

    廣州廣電計量檢測股份有限公司(GRGT)始建于1964年,是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計量站,經(jīng)過50余年的發(fā)展,現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構(gòu),專注于為客戶提供計量、檢測、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù),在計量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗、電磁兼容檢測等多個領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。

    廣電計量可靠性與環(huán)境試驗中心具備環(huán)境與可靠性試驗、六性設(shè)計與分析、元器件篩選與失效分析、仿真設(shè)計與分析、材料分析與工藝質(zhì)量評價、定壽延壽分析等服務(wù)能力,可為系統(tǒng)、整機、部件等各類產(chǎn)品提供從研發(fā)到生產(chǎn)的全過程技術(shù)解決方案。



    GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測試能力及技術(shù)服務(wù)能力:

    芯片可靠性驗證 ( RA)

    芯片級預(yù)處理(PC) & MSL試驗 、J-STD-020 & JESD22-A113 ;

    高溫存儲試驗(HTSL), JESD22-A103 ;

    溫度循環(huán)試驗(TC), JESD22-A104 ;

    溫濕度試驗(TH / THB), JESD22-A101 ;

    高加速應(yīng)力試驗(HTS/ HAST), JESD22-A110;

    高溫老化壽命試驗(HTOL), JESD22-A108;

    芯片靜電測試 ( ESD):

    人體放電模式測試(HBM), JS001 ;

    元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ;

    閂鎖測試(LU), JESD78 ;

    TLP;Surge / EOS / EFT;

    芯片IC失效分析 ( FA):

    光學(xué)檢查(VI/OM) ;掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

    微光分析定位(EMMI/InGaAs);

    OBIRCH ;Micro-probe;聚焦離子束微觀分析(FIB); 

    彈坑試驗(cratering) 芯片開封(decap) ;

    芯片去層(delayer);晶格缺陷試驗(化學(xué)法);

    PN結(jié)染色 / 碼染色試驗;推拉力測試(WBP/WBS);紅墨水試驗:

    PCBA切片分析(X-section);

    芯片材料分析

    高分辨TEM (形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF);

    SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD);

    Raman (Raman光譜);AFM (微觀表面形貌分析、臺階測量);

    芯片分析服務(wù):

    ESD / EOS實驗設(shè)計;集成電路競品分析;

    AEC-Q100 / AEC-Q104開展與技術(shù)服務(wù);

    未知污染物分析包括:化學(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析、晶體結(jié)構(gòu)分析等物理與化學(xué)特性分析材料理化特性全方位分析。鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實施,包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析);

     

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